MRFE6VP8600HR5
零件编号：
MRFE6VP8600HR5
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP Semiconductors
描述：
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Chassis Mount
- 噪声系数 -
- 技术 LDMOS
- 电压 - 测试 50 V
- 配置 Dual, Common Source
- 额定电压 130 V
- 电流 - 测试 1.4 A
- 封装 / 外壳 NI-1230
- 供应商器件封装 NI-1230
- 增益 19.3dB
- 功率 - 输出 600W
- 频率 470MHz ~ 860MHz
- 额定电流（安培） 20µA