MRFG35003N6AT1
零件编号：
MRFG35003N6AT1
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 额定电流（安培） -
- 额定电压 8 V
- 噪声系数 -
- 技术 pHEMT FET
- 增益 10dB
- 电流 - 测试 180 mA
- 频率 3.55GHz
- 封装 / 外壳 PLD-1.5
- 供应商器件封装 PLD-1.5
- 电压 - 测试 6 V
- 功率 - 输出 450mW