MSCSM120HRM08NG
零件编号：
MSCSM120HRM08NG
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Microchip Technology
描述：
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 供应商器件封装 -
- 场效应晶体管特性 -
- 封装 / 外壳 Module
- 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 Silicon Carbide (SiC)
- 配置 4 N-Channel (Three Level Inverter)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV), 700V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 317A (Tc), 227A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 7.8mOhm @ 160A, 20V, 9.5mOhm @ 80A, 20V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.8V @ 12mA, 2.4V @ 8mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 928nC @ 20V, 430nC @ 20V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 12100pF @ 1000V, 9000pF @ 700V
- 最大功率 1.253kW (Tc), 613W (Tc)