NE3210S01
零件编号：
NE3210S01
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
CEL
描述：
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD
包装：
Strip
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 封装 / 外壳 4-SMD
- 额定电压 4 V
- 供应商器件封装 SMD
- 电流 - 测试 10 mA
- 功率 - 输出 -
- 技术 GaAs HJ-FET
- 电压 - 测试 2 V
- 增益 13.5dB
- 额定电流（安培） 15mA
- 频率 12GHz
- 噪声系数 0.35dB