NE3512S02-T1D-A
零件编号：
NE3512S02-T1D-A
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Renesas Electronics Corporation
描述：
RF MOSFET HFET 2V S02
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 额定电压 4 V
- 额定电流（安培） 70mA
- 电流 - 测试 10 mA
- 功率 - 输出 -
- 电压 - 测试 2 V
- 增益 13.5dB
- 封装 / 外壳 4-SMD, Flat Leads
- 频率 12GHz
- 噪声系数 0.35dB
- 供应商器件封装 S02
- 技术 HFET