NE3513M04-T2B-A
零件编号：
NE3513M04-T2B-A
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Renesas Electronics Corporation
描述：
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 额定电流（安培） 60mA
- 额定电压 4 V
- 电流 - 测试 10 mA
- 技术 GaAs HJ-FET
- 电压 - 测试 2 V
- 封装 / 外壳 4-SMD, Flat Leads
- 配置 N-Channel
- 增益 13dB
- 频率 12GHz
- 噪声系数 0.65dB
- 功率 - 输出 125mW
- 供应商器件封装 4-Super Mini Mold