NE3521M04-A
零件编号：
NE3521M04-A
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
CEL
描述：
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
包装：
Strip
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 额定电压 3 V
- 功率 - 输出 -
- 技术 GaAs HJ-FET
- 电压 - 测试 2 V
- 封装 / 外壳 4-SMD, Flat Leads
- 配置 N-Channel
- 增益 10.5dB
- 额定电流（安培） 15mA
- 频率 20GHz
- 噪声系数 0.85dB
- 电流 - 测试 6 mA