NTR3A085PZT1G
零件编号：
NTR3A085PZT1G
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
onsemi
描述：
SINGLE P CHANNEL POWER MOSFET, -
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Discontinued at
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装 / 外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 场效应晶体管类型 P-Channel
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1V @ 250µA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 20 V
- 供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
- 最大栅源电压 ±8V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6.9 nC @ 4.5 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 1.9A (Ta)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 1.5V, 4.5V
- 最大功耗 420mW (Ta)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 77mOhm @ 1.6A, 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 586 pF @ 10 V