NVNJWS200N031LTAG
零件编号：
NVNJWS200N031LTAG
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
onsemi
描述：
MOSFET - POWER, N-CHANNEL WITH E
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Discontinued at
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.5V @ 250µA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30 V
- 最大栅源电压 ±8V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 3V, 4.5V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
- 封装 / 外壳 3-XFDFN
- 安装类型 Surface Mount, Wettable Flank
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 89 pF @ 15 V
- 供应商器件封装 3-XDFNW (1x1)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 2.2A (Ta), 3.3A (Tc)
- 最大功耗 1.8W (Ta), 4.1W (Tc)