NXV08A170DB2
零件编号：
NXV08A170DB2
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
onsemi
描述：
MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 250µA
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q100
- 最大功率 -
- 工作温度 175°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 80V
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 200A (Tj)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 195nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 14000pF @ 40V
- 封装 / 外壳 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
- 供应商器件封装 APM12-CBA