NXV08H250DT1
零件编号：
NXV08H250DT1
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
onsemi
描述：
MOSFET 4N-CH 80V APM17-MDC
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- 最大功率 -
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C -
- 工作温度 175°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 80V
- 配置 4 N-Channel
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.6V @ 1mA
- 封装 / 外壳 17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
- 供应商器件封装 APM17-MDC
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 320nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 24350pF @ 40V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 1.039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V