NXV10V125DT1
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- 最大功率 -
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C -
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.5V @ 250µA
- 工作温度 175°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 101nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6970pF @ 50V
- 封装 / 外壳 21-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
- 供应商器件封装 APM21-CGA
- 配置 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 2.2mOhm @ 80A, 12V