NXVF6532M3TG01
零件编号：
NXVF6532M3TG01
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
onsemi
描述：
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 31A (Tc)
- 配置 4 N-Channel (Full Bridge)
- 技术 Silicon Carbide (SiC)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 650V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 44mOhm @ 15A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 7.5mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 58nC @ 18V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1215pF @ 400V
- 最大功率 65.2W (Tj)
- 封装 / 外壳 13-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
- 供应商器件封装 APM16