P3M06060G7
零件编号：
P3M06060G7
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
PN Junction Semiconductor
描述：
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- 封装 / 外壳 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
- 供应商器件封装 D2PAK-7
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 15V
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 最大功耗 159W
- 最大栅源电压 +20V, -8V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 44A
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 79mOhm @ 20A, 15V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.2V @ 20mA (Typ)