PJQ4606_R1_00001
零件编号：
PJQ4606_R1_00001
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Panjit International Inc.
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 7.6A 8DFN
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 零件状态 Not For New Designs
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 250µA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- 配置 N and P-Channel Complementary
- 封装 / 外壳 8-PowerWDFN
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 7.6A (Ta), 23A (Tc), 6.7A (Ta), 20A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
- 最大功率 2W (Ta), 18W (Tc)
- 供应商器件封装 DFN3030B-8