PMCXB900UEZ
零件编号：
PMCXB900UEZ
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
NXP Semiconductors
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 20V
- 场效应晶体管特性 Logic Level Gate
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 950mV @ 250µA
- 配置 N and P-Channel Complementary
- 封装 / 外壳 6-XFDFN Exposed Pad
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
- 最大功率 265mW
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 600mA, 500mA
- 供应商器件封装 DFN1010B-6
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 620mOhm @ 600mA, 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 21.3pF @ 10V