QS8M51HZGTR
零件编号：
QS8M51HZGTR
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 1mA
- 工作温度 -55°C ~ 150°C
- 配置 N and P-Channel
- 封装 / 外壳 8-SMD, Flat Leads
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100V
- 供应商器件封装 TSMT8
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
- 最大功率 1.1W (Ta)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 2A (Ta), 1.5A (Ta)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V