RBK04U04GNS-0000#HBH
零件编号：
RBK04U04GNS-0000#HBH
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Renesas Electronics Corporation
描述：
POWER TRS2 LIB 8P HVSON ANL4 OTH
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 150°C
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 1mA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 40V
- 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
- 配置 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 35A (Ta)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 1.5mOhm @ 18A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 111nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6900pF @ 10V
- 最大功率 83W (Tc)
- 供应商器件封装 8-HSON (5x6)