RF5L08600CB4
零件编号：
RF5L08600CB4
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
STMicroelectronics
描述：
RF MOSFET LDMOS 50V D4E
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Chassis Mount
- 配置 -
- 噪声系数 -
- 技术 LDMOS
- 增益 19.5dB
- 电压 - 测试 50 V
- 额定电流（安培） 1µA
- 频率 400MHz ~ 1GHz
- 额定电压 115 V
- 电流 - 测试 110 mA
- 功率 - 输出 650W
- 封装 / 外壳 D4E
- 供应商器件封装 D4E