RJM0603JSC-00#12
零件编号：
RJM0603JSC-00#12
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Renesas Electronics Corporation
描述：
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A 20HSOP
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 1mA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 60V
- 配置 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
- 封装 / 外壳 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
- 供应商器件封装 20-HSOP
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2600pF @ 10V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 20mOhm @ 10A, 10V
- 场效应晶体管特性 Logic Level Gate, 4.5V Drive
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 20A
- 工作温度 175°C
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 43nC @ 10V
- 最大功率 54W