RQ3G120BKFRATCB
零件编号：
RQ3G120BKFRATCB
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
NCH 40V 12A, HSMT8AG, POWER MOSF
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- 最大功耗 40W (Tc)
- 工作温度 150°C (TJ)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 4.5V, 10V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 40 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 12A (Ta)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
- 封装 / 外壳 8-PowerVDFN
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 470 pF @ 20 V
- 供应商器件封装 8-HSMT (3.2x3)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 17.4mOhm @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 432µA