RQM2201DNS#P0
零件编号：
RQM2201DNS#P0
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Renesas
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 2A 6HWSON
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 150°C
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 60V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 2A (Ta)
- 封装 / 外壳 6-WDFN Exposed Pad
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 200pF @ 10V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 225mOhm @ 1A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.4V @ 1mA
- 最大功率 1.5W (Ta)
- 供应商器件封装 6-HWSON (3x3)