SA2T18H450W19SR6
零件编号：
SA2T18H450W19SR6
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP Semiconductors
描述：
RF MOSFET LDMOS 30V NI1230
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Chassis Mount
- 噪声系数 -
- 增益 16.6dB
- 技术 LDMOS
- 额定电压 65 V
- 电流 - 测试 800 mA
- 额定电流（安培） 10µA
- 频率 1.805GHz ~ 1.88GHz
- 配置 Dual
- 电压 - 测试 30 V
- 功率 - 输出 89W
- 封装 / 外壳 NI-1230S-4S4S
- 供应商器件封装 NI-1230S-4S4S