SH63N65DM6AG
零件编号：
SH63N65DM6AG
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
STMicroelectronics
描述：
MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 53A (Tc)
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 80nC @ 10V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 650V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.75V @ 250µA
- 封装 / 外壳 9-PowerSMD
- 供应商器件封装 9-ACEPACK SMIT
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 64mOhm @ 23A, 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 3344pF @ 100V
- 最大功率 424W (Tc)