SI4590DY-T1-GE3
零件编号：
SI4590DY-T1-GE3
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 供应商器件封装 8-SOIC
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 250µA
- 技术 -
- 配置 N and P-Channel
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 11.5nC @ 10V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100V
- 最大功率 2.4W, 3.4W
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 3.4A, 2.8A
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 57mOhm @ 2A, 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 360pF @ 50V