SI5980DU-T1-GE3
零件编号：
SI5980DU-T1-GE3
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 250µA
- 场效应晶体管特性 -
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 2.5A
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100V
- 封装 / 外壳 PowerPAK® ChipFET™ Dual
- 供应商器件封装 PowerPAK® ChipFet Dual
- 最大功率 7.8W
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 567mOhm @ 400mA, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 3.3nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 78pF @ 50V