SI6913DQ-T1-BE3

SI6913DQ-T1-BE3

零件编号: SI6913DQ-T1-BE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
包装: Tape & Reel (TR)
ROHS状态: Yes
货币: -
PDF: 资料

规格

  • 零件状态 Obsolete
  • 安装类型 Surface Mount
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应晶体管特性 -
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 配置 2 P-Channel (Dual)
  • 封装 / 外壳 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 供应商器件封装 8-TSSOP
  • 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds -
  • 漏极至源极电压 (Vdss) 12V
  • 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 4.9A (Ta)
  • 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 28nC @ 4.5V
  • 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 900mV @ 400µA
  • 最大功率 830mW (Ta)