SI7501DN-T1-GE3
零件编号：
SI7501DN-T1-GE3
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A PPAK 1212
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 3V @ 250µA
- 场效应晶体管特性 Logic Level Gate
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds -
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 14nC @ 10V
- 最大功率 1.6W
- 配置 N and P-Channel, Common Drain
- 封装 / 外壳 PowerPAK® 1212-8 Dual
- 供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8 Dual
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 5.4A, 4.5A
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 35mOhm @ 7.7A, 10V