SIZ342DT-T1-GE3
零件编号：
SIZ342DT-T1-GE3
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 -
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 20nC @ 10V
- 封装 / 外壳 8-PowerWDFN
- 供应商器件封装 8-Power33 (3x3)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 11.5mOhm @ 14A, 10V
- 最大功率 3.6W, 4.3W
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 15.7A (Ta), 100A (Tc)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 650pF @ 15V