SIZ998BDT-T1-GE3
零件编号：
SIZ998BDT-T1-GE3
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.2V @ 250µA
- 封装 / 外壳 8-PowerWDFN
- 配置 2 N-Channel (Dual), Schottky
- 供应商器件封装 8-PowerPair® (6x5)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
- 最大功率 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)