SIZF906DT-T1-GE3
零件编号：
SIZF906DT-T1-GE3
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TA)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 60A (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.2V @ 250µA
- 封装 / 外壳 8-PowerWDFN
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 供应商器件封装 8-PowerPair® (6x5)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
- 最大功率 38W (Tc), 83W (Tc)