SIZF918BDT-T1-GE3
零件编号：
SIZF918BDT-T1-GE3
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.2V @ 250µA
- 封装 / 外壳 8-PowerWDFN
- 供应商器件封装 8-PowerPair® (6x5)
- 最大功率 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 25A (Ta), 73A (Tc), 41A (Ta), 158A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 3.3mOhm @ 10A, 10V, 1.4Ohm @ 15A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 29nC @ 10V, 77nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1290pF @ 15V, 3350pF @ 15V