SQUN702E-T1_GE3
零件编号：
SQUN702E-T1_GE3
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- 封装 / 外壳 Die
- 供应商器件封装 Die
- 配置 N and P-Channel, Common Drain
- 安装类型 Surface Mount, Wettable Flank
- 漏极至源极电压 (Vdss) 40V, 200V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 30A (Tc), 20A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V
- 最大功率 48W (Tc), 60W (Tc)