SSM6P69NU,LF
零件编号：
SSM6P69NU,LF
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 150°C
- 漏极至源极电压 (Vdss) 20V
- 配置 2 P-Channel (Dual)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- 封装 / 外壳 6-WDFN Exposed Pad
- 供应商器件封装 6-µDFN (2x2)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.2V @ 1mA
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 480pF @ 10V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 45mOhm @ 3.5A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6.74nC @ 4.5V
- 场效应晶体管特性 Logic Level Gate, 1.8V Drive
- 最大功率 1W (Ta)