TC8020K6-G
零件编号：
TC8020K6-G
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Microchip Technology
描述：
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56QFN
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.4V @ 1mA
- 最大功率 -
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 8Ohm @ 1A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs -
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C -
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 50pF @ 25V
- 封装 / 外壳 56-VFQFN Exposed Pad
- 供应商器件封装 56-QFN (8x8)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 200V
- 配置 6 N and 6 P-Channel