TK155A60Z1,S4X
零件编号：
TK155A60Z1,S4X
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 24 nC @ 10 V
- 最大功耗 40W (Tc)
- 工作温度 150°C
- 漏极至源极电压 (Vdss) 600 V
- 封装 / 外壳 TO-220-3 Full Pack
- 最大栅源电压 ±30V
- 供应商器件封装 TO-220SIS
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 17A (Ta)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1350 pF @ 300 V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 610µA
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 155mOhm @ 5.4A, 10V