TK5R0A15Q5,S4X
零件编号：
TK5R0A15Q5,S4X
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
150V UMOS10-HSD TO-220SIS 5MOHM
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 封装 / 外壳 TO-220-3 Full Pack
- 漏极至源极电压 (Vdss) 150 V
- 供应商器件封装 TO-220SIS
- 最大功耗 53W (Tc)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 96 nC @ 10 V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 8V, 10V
- 工作温度 175°C
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.5V @ 2.2mA
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 7820 pF @ 75 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 76A (Ta), 76A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 5mOhm @ 38A, 10V