TPD3215M
零件编号：
TPD3215M
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Transphorm
描述：
MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Through Hole
- 场效应晶体管特性 -
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 -
- 封装 / 外壳 Module
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 供应商器件封装 Module
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 70A (Tc)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 600V
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 34mOhm @ 30A, 8V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 28nC @ 8V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2260pF @ 100V
- 最大功率 470W