TPH2R306PL1,LQ
零件编号：
TPH2R306PL1,LQ
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
60V UMOS9-H SOP ADVANCE(N) 2.3MO
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 漏极至源极电压 (Vdss) 60 V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 4.5V, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 60 nC @ 10 V
- 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
- 工作温度 175°C
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 2.3mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 500µA
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 5435 pF @ 30 V
- 供应商器件封装 8-SOP Advance (5x5.75)
- 最大功耗 3W (Ta), 170W (Tc)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 190A (Ta), 100A (Tc)