TPH4R008NH1,LQ
零件编号：
TPH4R008NH1,LQ
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 150°C
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 59 nC @ 10 V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 80 V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 1mA
- 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 4mOhm @ 50A, 10V
- 最大功耗 2.5W (Ta), 170W (Tc)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 5300 pF @ 40 V
- 供应商器件封装 8-SOP Advance (5x5.75)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 146A (Ta), 116A (Tc)