TPM7R10CQ5,LQ
零件编号：
TPM7R10CQ5,LQ
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 漏极至源极电压 (Vdss) 150 V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 57 nC @ 10 V
- 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 8V, 10V
- 工作温度 175°C
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.5V @ 1.2mA
- 最大功耗 3W (Ta), 250W (Tc)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 13A (Ta), 120A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 7.1mOhm @ 35A, 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6800 pF @ 75 V
- 供应商器件封装 8-SOP Advance (4.9x5.75)