规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 电流 - 平均整流值 (Io) 8A
- 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
- 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
- 反向恢复时间 0 ns
- 电压 - 直流反向(Vr)(最大值) 650 V
- 电容 @ 反向电压, 法拉 520pF @ 1V, 1MHz
- 供应商器件封装 4-DFN-EP (8x8)
- 封装 / 外壳 4-VSFN Exposed Pad
- 反向漏电流 @ 反向电压 90 µA @ 650 V
- 正向电压 - 最大值 @ 测试电流 1.35 V @ 8 A
- 工作温度 - 结温 175°C