TSM250NB06LDCR
零件编号：
TSM250NB06LDCR
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFN
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 250µA
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 60V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 23nC @ 10V
- 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 25mOhm @ 6A, 10V
- 供应商器件封装 8-PDFN (5x6)
- 最大功率 2W (Ta), 48W (Tc)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 6A (Ta), 29A (Tc)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1314pF @ 30V