TSM2537CQ
零件编号：
TSM2537CQ
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 11.6A 6TDFN
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 配置 N and P-Channel
- 漏极至源极电压 (Vdss) 20V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1V @ 250µA
- 封装 / 外壳 6-VDFN Exposed Pad
- 供应商器件封装 6-TDFN (2x2)
- 场效应晶体管特性 Logic Level Gate, 1.8V Drive
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 11.6A (Tc), 9A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 677pF @ 10V, 744pF @ 10V
- 最大功率 6.25W