UG3SC120009K4S
零件编号：
UG3SC120009K4S
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
onsemi
描述：
1200V/9MO,SICFET,DG,G3,TO247-4
包装：
Box
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200 V
- 封装 / 外壳 TO-247-4
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 12V
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 最大功耗 789W (Tc)
- 供应商器件封装 TO-247-4
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 196 nC @ 15 V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 11mOhm @ 100A, 12V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.7V @ 320mA
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 8157 pF @ 800 V