US6M2GTR
零件编号：
US6M2GTR
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 150°C
- 配置 N and P-Channel
- 最大功率 1W
- 封装 / 外壳 6-SMD, Flat Leads
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V, 20V
- 供应商器件封装 TUMT6
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 1.5A, 1A
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 80pF @ 10V, 150pF @ 10V