VQ1006P-E3
零件编号：
VQ1006P-E3
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Through Hole
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装 / 外壳 -
- 供应商器件封装 14-DIP
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 1mA
- 最大功率 2W
- 场效应晶体管特性 Logic Level Gate
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs -
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 400mA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 90V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 4.5Ohm @ 1A, 10V
- 配置 4 N-Channel
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 60pF @ 25V