VQ2001P
零件编号：
VQ2001P
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Vishay Siliconix
描述：
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 供应商器件封装 -
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装 / 外壳 -
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.5V @ 1mA
- 最大功率 2W
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs -
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 600mA
- 配置 4 P-Channel
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 2Ohm @ 1A, 12V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 150pF @ 15V