射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 (3365)

查看模式 :

产品 描述 RoHS 状态 数量
PTFA240451E V1 R250
品牌: Infineon Technologies
包装: Tape & Reel (TR)
RF MOSFET LDMOS 28V H-30265-2
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
PDF
Yes
库存 0
PTFA212401E V4
品牌: Infineon Technologies
包装: Tray
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
PDF
Yes
库存 0
PTFA212001F/1 P4
品牌: Infineon Technologies
包装: Tray
RF MOSFET LDMOS 30V H-37260-2
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
Yes
库存 0
PTFA212001EV4XWSA1
品牌: Infineon Technologies
包装: Tape & Reel (TR)
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
Yes
库存 0
PTFA212001EV4R250XTMA1
品牌: Infineon Technologies
包装: Tape & Reel (TR)
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
PDF
Yes
库存 0
PTFA210701EV4R250XTMA1
品牌: Infineon Technologies
包装: Tape & Reel (TR)
RF MOSFET LDMOS 30V H-36265-2
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
PDF
Yes
库存 0
PTFA211801E V4 R250
品牌: Infineon Technologies
包装: Tape & Reel (TR)
RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
PDF
Yes
库存 0
PTFA210701EV4XWSA1
品牌: Infineon Technologies
包装: Tray
RF MOSFET LDMOS 30V H-36265-2
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
PDF
Yes
库存 0
PTFA211801E V4
品牌: Infineon Technologies
包装: Tray
RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
PDF
Yes
库存 0
PTFA210601EV4R250FTMA1
品牌: Infineon Technologies
包装: Tape & Reel (TR)
RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
PDF
Yes
库存 0