射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 (3365)

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产品 描述 RoHS 状态 数量
PD85015-E
品牌: STMicroelectronics
包装: Tube
RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
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PD85025-E
品牌: STMicroelectronics
包装: Tube
RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
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库存 0
PD85015S-E
品牌: STMicroelectronics
包装: Tube
RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
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BLF6G20-230P
品牌: NXP USA Inc.
包装: Bag
RF MOSFET LDMOS 28V LDMOST
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
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库存 0
MRFG35020AR5
品牌: NXP USA Inc.
包装: Tape & Reel (TR)
RF MOSFET PHEMT FET 12V NI360
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
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库存 0
MRFG35005ANT1
品牌: NXP USA Inc.
包装: Tape & Reel (TR)
RF MOSFET PHEMT FET 12V PLD-1.5
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
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库存 0
MRFG35003N6AT1
品牌: NXP USA Inc.
包装: Cut Tape (CT)
RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
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库存 448
MRFG35003ANT1
品牌: NXP USA Inc.
包装: Tape & Reel (TR)
RF MOSFET PHEMT FET 12V PLD-1.5
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
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库存 0
MRFE6S9205HR3
品牌: NXP USA Inc.
包装: Tape & Reel (TR)
RF MOSFET LDMOS 28V NI880H
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
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库存 0
MRFE6S9205HSR3
品牌: NXP USA Inc.
包装: Tape & Reel (TR)
RF MOSFET LDMOS 28V NI880S
分立半导体产品 晶体管 场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管 射频场效应晶体管,金属氧化物半导体场效应晶体管
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库存 0